2023年度，公司实现营业总收入21,374.33万元，较上年同期下降9.19%；实现归属于母企业所有者的纯利润是1,779.50万元，较上年同期下降70.89%；实现归属于母企业所有者的扣除非经常性损益的纯利润是813.79万元，较上年同期下降83.59%。2023年公司的营业收入及利润水准较2022年同期均有不同程度的下滑。
2023年度，公司出现业绩下滑的具体分析如下：一方面，2023年度受宏观经济环境、地理政治学变局、行业周期等坏因的扰动，公司所处的功率半导体市场处于周期较低区间，终端市场需求没有到达预期。受此影响，公司部分面向消费电子领域的平面MOSFET产品销量和价格下降明显，进而导致存货减值损失增加；面向高可靠领域的功率IC产品，也受到行业坏因及行业采购周期的影响，出现订单验收缓慢、收入确认滞后、新增订单没有到达预期等不利情况；工业控制领域部分细分行业领域需求有所减弱，客户订单没有到达预期。另一方面，2023年度，公司期间费用占据营业收入的比例为34.97%，较上年度有所提升，根本原因是公司基于未来发展需要，公司持续加大产品研制投入，针对高可靠、新能源、储能、智能电网等重点应用领域进行产品研制，同时加大市场布局和产品推广，经营性费用有所增加。
面对复杂严峻的内外部环境，公司积极应对挑战，从始至终坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，紧紧围绕生产经营计划和奋斗目标不松懈，紧跟市场需求的变化和行业技术的发展的新趋势，积极拓展市场占有率，创新优化产品服务，精细化管控以降本增效，严控资金及运营风险，持续加大产品研制投入，提升产品的品质和丰富产品系列，稳妥应对经济波动和行业下行的不利影响，努力将公司打造成高品质功率半导体与功率集成芯片供应商。报告期内，公司主要经营管理工作如下：
报告期内，研发费用为3,602.11万元，同比增长58.55%。公司为维持技术优势和保持产品竞争力，持续推进技术和产品研制，2023年度，新立项研发项目37个，在研项目合计达89个。同时新设南京分公司作为研发中心，依托周边高校资源，配合总部研发中心承担研发项目。通过业务培训、技术研讨、高校合作等方式逐渐完备人才教育培训体系，加强人才梯队建设，积极引进高技术研发人才和研发团队，公司研发人员人数从年初的40人增至年末的65人。
在注重基础研究的同时，深度拓展前沿技术的应用，推动产品的技术高效升级，力求实现产品和技术的自主可控，为下一步产品多样化设计、降本增效、提升产品盈利能力打下基础。以第三代功率半导体SiCMOSFET为例，公司加大SiCMOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发，报告期内与国内晶圆代工厂合作开发了1200V、1700VSiCMOSFET的生产的基本工艺平台，其中
报告期内，公司销售费用1,048.29万元，同比增长35.49%。在公司构建的功率器件和功率IC双轮驱动的业务模式下，以技术建口碑，凭借已有的技术和标杆客户案例，稳步务实推进国产替代供应商的品牌建设步伐，公司销售部门持续加强销售管理、服务管理、合同管理，推进深入工艺和技术知识学习，提高综合素质。
面对复杂严峻的行业环境变化，加大对高可靠、新能源、储能、智能电网等重点应用领域的市场布局和产品推广，积极向潜在客户进行送样验证，开拓新客户资源，深度挖掘现有客户的需求，提升客户覆盖度和服务的品质。为更好服务客户、及时响应客户的真实需求和把握市场动态，完善销售服务网络，实现客服属地化，在北京、成都、长沙、苏州等城市新设销售网点，并招聘专职销售人员驻点，针对重点领域推进有关产品的市场开发及客户维护工作，力求增强老客户粘性及提高新客户转化率。2023年度公司销售人员人数从年初的19人增至年末的31人。
目前公司已与国内知名晶圆制造厂商及封测厂商形成了长期合作伙伴关系，建立了较为稳定的晶圆制造、封装和测试的供应渠道，具有完善的外协供应商管理体系，对主要晶圆制造厂商及封测厂商均进行相对有效管理，以保证供应产品的质量符合标准要求以及卓有成效地完成客户的产品交付。
公司对于产品的质量与可靠性保持一贯的重视与专注。报告期内，公司依据产品研发销售的需要与品质策略，依照行业专用标准要求及募投项目建设需要，陆续组织投入资金，选型采购设备、研究产业及产品相关标准与实验方法，已建设成具备一定规模与能力的高可靠性检测实验室，有利于稳定并提升公司产品的品质与可靠性，满足客户及市场对高可靠性产品的需求。
报告期内，在公司全体股东的支持下，以及公司董事会、经营管理团队和全体员工的齐心协力下，公司已于2023年8月18日正式登陆上海证券交易所科创板，公司发展迈入全新阶段。公司登陆资本市场后，公司资本结构进一步优化，抗风险能力得到增强。募集资金投资项目实施有助于进一步巩固及提升公司在功率半导体的市场地位及品牌影响力，增强公司的综合竞争力。
报告期内，公司严格按照中国证监会、上海证券交易所的其他相关法律法规、部门规章的要求，不断完善并优化公司治理结构，建立健全公司内部管理及控制制度，规范公司行为。公司股东大会、董事会（包括专门委员会）、监事会及经营层，积极履行各自职责，严格履行信息披露义务，重视投资者关系管理工作，确保公司规范治理得到持续加强，切实维护公司及全体股东利益，助力公司实现高质量健康发展。
公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，可实现电源开关和电能转换的功能，实现变频、变相、变压、逆变、变流、开关的目的。公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，始终围绕功率半导体产品不断进行业务开拓和持续创新，主要产品包含功率器件及功率IC两大类。在功率器件方面，公司产品以高压平面MOSFET为主，并在平面MOSFET工艺平台基础上设计研发了集成快恢复高压功率MOSFET（FRMOS）系列产品；在功率IC方面，公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC。此外，在第三代半导体方面，公司的SiC功率器件已顺利实现产品布局并进入产业化阶段。主要产品如下：
公司功率器件产品以MOSFET为主，公司是国内为数不多的具备650V-1700VSiCMOSFET设计能力的企业之一，产品已覆盖业内主流电压段。
公司在开发产品的同时，利用长期积累的设计经验和工艺开发能力，为客户提供芯片设计及工艺开发等技术服务，公司技术服务主要覆盖高可靠领域客户，包括产品开发和工艺开发流片两类。
产品开发：在该类技术服务过程中，由客户定义产品的功能和参数指标，委托公司对该产品进行设计开发，后续公司根据客户的具体需求，可以为客户提供制版、流片和测试验证等技术服务工作。
工艺开发流片：客户基于晶圆厂已有工艺平台，需要开发新的器件或者其他工艺升级要求。在工艺开发流片的服务过程中，由公司负责新器件工艺开发或为客户提供其指定需求的工艺服务。后续由客户基于公司提供的工艺服务自行设计产品，并委托公司进行制版、流片的服务。而产品的测试验证等工作由客户自行负责。
公司为采用Fabess经营模式的芯片设计企业，将晶圆制造和封测环节委外，晶圆代工厂根据公司提供的产品设计版图、工艺制程要求完成晶圆的加工制造，经公司验收后，公司再根据市场需求对其进行委外封装和测试。通过将制造、封装、测试环节委外，公司可将研发力量集中于功率半导体芯片设计环节，专注于自身所擅长的领域，提升核心竞争力；同时Fabess经营模式较IDM经营模式更为灵活，公司可快速根据市场变化进行产品结构调整。
公司制定了系统的研发管理制度和版图设计流程规范，包括《产品设计开发控制程序》《版图设计管理规定》《产品验证管理规定》《工程封装管理规定》等，对研发过程中各个环节进行了规范，保证设计研发产出符合公司要求规定，从而提升研发产出效率和成功率。研发流程主要包括论证阶段、设计阶段、工程试制阶段和定型阶段。
公司采购内容主要包括晶圆和封装测试服务。公司自主设计研发相关产品，再委托晶圆代工厂商生产并向其采购。晶圆采购根据公司是否提供原材料外延片分为直接委外和带料委外两种采购形式：对于直接委外，晶圆代工厂自行采购外延片并根据公司设计版图（公司设计版图的具体载体为GDS文件或掩膜版）及工艺要求制造出公司所需晶圆，向公司销售加工后晶圆；对于带料委外，由公司提供外延片，晶圆代工厂仅负责晶圆制造，根据公司提供的设计版图及工艺要求制造出公司所需晶圆，并向公司收取加工费。两种模式所采购晶圆均为公司自主设计研发。对于加工后晶圆，晶圆代工厂具备中测条件的，公司会直接采购中测后晶圆，如晶圆代工厂不具备中测条件，公司采购加工后晶圆后，再另行委外中测，中测完成后入库。
公司制定了《采购控制程序》，对晶圆、外延片、封装、包辅料等采购流程制定了严格规定并遵照执行。公司还制定了《供应商开发和管理程序》《wafer委外加工管理规定》《CP委外加工管理规定》《封装委外加工管理规定》等规定，对各类外协采购进行严格管理和控制，保证外协采购内容满足公司要求。
公司采取直销为主、经销为辅的销售模式，主要直销客户多为业内知名的芯片设计公司及高可靠领域客户；经销客户为公司的经销商。公司的经销模式为买断式，属于行业内的常规模式。公司制定了《成品客户管理规定》《报价管理规定》《售后服务管理制度》《客户投诉处理控制程序》等规定，其中对经销商的导入、价格制定、客诉流程等方面均作出了详细规定，公司与经销商均签署《产品授权经销协议》，对双方的权利和义务作出明确规定。
公司主营业务为功率半导体的设计、研发和销售，并提供相关技术服务。根据《中华人民共和国国民经济行业分类》（GB/T4754－2017），公司所属行业为“C39计算机、通信和其他电子设备制造业”。
我国功率半导体行业较西方国家起步较晚，受到企业规模及技术水平的制约，在高端功率半导体产品领域尚未形成整体的规模效应，单体规模较小，在技术能力、经验和客户积累上同国外企业存在一定差距。因此，中国功率半导体的进口量和进口占比仍然较大，尤其是用于工业控制领域的高性能产品及用于高可靠领域的产品，国产化替代空间较大。近年来，随着半导体产业的逐渐成熟，在国家政策导向引领下，功率半导体产业链自主可控进程加速，为国内功率半导体厂商提供了良好的发展机遇，国内企业近年来逐步打破国外技术垄断，国内产品可靠性、稳定性、性能参数等不断追赶国外竞品标准，预计未来国内功率半导体厂商市场份额将逐步提升。
报告期内，受到全球经济增长动能不足、地缘政治、半导体行业周期波动等多方位因素影响，功率半导体市场整体表现低迷，有效性需求不足，产品价格下跌，下游厂商库存水位较高，行业正处于下行周期，但功率半导体作为电子装置中电能转换与电路控制的核心，市场份额整体较为稳定，涉及电路控制和电能转换的产品均离不开功率半导体，功率半导体主要下游应用领域包括消费电子、工业控制、高可靠领域等,广阔的下游应用领域仍是功率半导体未来发展的重要支撑。
从目前功率器件的需求领域来看，根据Yoe的预测，工业自动化、通信技术、光伏、新能源车等渗透率不断提升，功率器件将维持长期增长，预计到2026年，全球功率市场将达到262.74亿美元。从功率半导体市场结构来看，根据中商产业研究院数据显示，目前国内功率半导体市场中占比最多的是功率IC，为功率半导体第一大细分市场。功率IC包括电源管理芯片、驱动芯片、AC/DC转换器等，其中电源管理IC占比最高。据Frost&Suivan数据，2025年中国电源管理IC市场规模将达到234.5亿美元。
功率器件种类较多，主要包括二极管、三极管（BJT）、晶闸管、MOSFET和IGBT等。其中，二极管、晶闸管、三极管（BJT）的优点是成本低，生产工艺相对简单，在中低端领域大量应用；MOSFET、IGBT等器件结构相对复杂，工艺门槛和生产成本相对较高，系具有较高技术先进性的产品。根据Yoe预测，到2028年功率器件将以Si基MOSFET、IGBT、SiC基MOSFET为主导，其中MOSFET在所有功率器件类别中占比最高，占比达30%，需求保持稳定增长。
功率IC产品属于模拟IC的一种，在产品研发设计时需要在速度、功耗、增益、精度、电源电压、工艺、工作温度、噪声、面积等多种因素间进行考量。功率IC产品内部由多种功能模块电路构成，内部集成的功能模块有高精度低温漂的电压基准源、电流基准源、线性稳压器、高频振荡器、输出驱动模块及各种保护模块，需要充分考虑噪声、串扰等在各功能模块间的影响，每个功能模块电路均会影响到功率IC的性能指标，影响功率IC产品的研发速度和成功率，版图的布局布线的复杂度较高。因此对于功率IC设计公司来讲，需要相对专业资深的设计团队，不断进行功能模块IP电路的验证和储备，才能打磨出高性能的功率IC产品。
功率IC产品集成了低压CMOS、中压CMOS、高压CMOS、LDMOS、双极器件、各种阻容等多种器件，需采用高压BCD工艺来进行设计研发。由于功率IC产品的市场需求多样，晶圆代工厂提供的BCD工艺平台往往无法完全满足产品设计的要求，因此功率IC设计企业需同时具备产品设计研发及工艺开发能力，能够针对线路设计过程中的需求开发功率IC产品所需要的工艺平台。高压BCD工艺层次多，产品结构复杂，对功率IC产品研发提出较高的要求。
公司功率器件产品以MOSFET为主，长期以来，全球功率器件市场主要由国际厂商占据，以英飞凌、安森美、意法半导体、东芝、瑞萨为代表的国外品牌凭借先进制造优势、人才集聚优势、大规模研发投入和技术积累，目前占据全球MOSFET市场的主要份额。根据Omdia数据，以销售额计，2020年MOSFET市场前七大品牌的市场占有率合计达到68.09%，市场竞争格局相对稳定。中国功率器件产业起步较晚，随着功率器件行业国产替代进程加速，国产功率器件市场份额得到逐步提升。公司已同时具备Si基及SiC基功率器件的设计、研发能力，积累了多项具有原创性和先进性的核心技术，其中3项达到国际先进水平，1项达到国内领先水平。SiC基功率器件方面，公司是国内为数不多的具备650V-1700VSiCMOSFET设计能力的企业之一，产品已覆盖业内主流电压段。
功率IC方面，公司产品主要包括PWM控制IC和栅极驱动IC。PWM控制IC方面，根据QYResearch相关数据，国际巨头如TI（德州仪器）、ADI（亚德诺半导体）、英飞凌、安森美、意法半导体等欧美公司在PWM控制IC领域总体处于领先地位，2021年度PWM控制IC中国市场收入前10大公司均为国外公司。栅极驱动IC方面，根据芯谋研究相关数据，栅极驱动IC市场集中度相对较高，2021年度栅极驱动IC中国市场收入前10大公司市场占有率合计达到74.4%，其中欧日美公司总体处于领先地位。公司坚持在高可靠领域芯片国产化替代的战略方向，洞察市场需求导向，进行自主研发和创新，将科技成果与产业深度融合。公司凭借自身研发的高性能产品，已与多家高可靠领域客户建立合作关系；该特定应用领域对产品的性能有严格要求，公司产品得以进入该领域，表明了公司部分产品指标已达到国外竞品同等水平，并在其细分产品领域逐步实现国产化替代，公司在高可靠领域已取得一定的市场地位。
3.报告期内新技术、新产业（300832）、新业态、新模式的发展情况和未来发展趋势
目前高端功率半导体产品仍然主要由美、日、欧龙头厂商主导，国内厂商与国外龙头公司仍存在较大差距。根据StrategyAnaytics数据，2020年全球功率半导体市场份额前五大公司占据近70%市场份额，其中英飞凌处于绝对领先地位，独占30%市场份额，市场份额前五大公司均为国外企业，国内厂商市场份额仅占10%左右，发展空间大。
以SiC为代表的第三代半导体材料给功率半导体行业带来了新的发展契机，SiC材料相对于硅基材料主要拥有如下优势：耐高压、耐高温、工作频率高。
①耐高压SiC的击穿场强约为硅的10倍，这就意味着同样电压等级的SiCMOSFET晶圆外延层厚度只要硅的十分之一，是应用于超高压功率器件的理想材料。
②耐高温SiC的禁带宽度是硅基材料的3倍，SiC的热导率是硅基材料的2-3倍，故SiC功率器件的应用可使散热器体积减小。
③高频SiC的电子饱和速度是硅基材料的2-3倍，SiC功率器件可实现10倍于硅基功率器件的工作频率。
国家设立了2030年前碳排放达峰，2060年前碳中和的双碳战略目标，未来制造业企业将进一步提升能源利用效率、减少碳排放，SiC凭借低功耗、耐高压、耐高温、高频等优势特性，在助力国家实现碳中和战略目标方面具有重要作用，其应用前景广阔。
现阶段中国功率半导体的进口量和进口占比仍然较大，尤其是用于工业控制领域的高性能产品及用于高可靠领域的产品，国产化替代空间广阔。根据CCID的数据，中国功率半导体市场中，接近90%的产品均依赖进口。根据半导体行业观察、国金证券研究所数据，中国模拟芯片仍高度依赖进口，2020年国产化率仅为12%左右。近年来，国产化替代需求随着中美贸易摩擦而更加迫切。近年来，国家颁布了《国家信息化发展战略纲要》《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》等政策，为功率半导体产业链自主可控提供了政策支持，功率半导体行业的国产化替代进程将进一步加速。
功率器件的发展包含多个技术路径，包含线宽、器件结构、工艺进步、材料等多个方面，经过不断的发展，功率器件追求不断提高功率密度，实现功耗与成本的最优解，同时实现多种功能的集成。另外，功率器件的材料迭代（如第三代半导体材料）和集成化趋势也日益加强。
公司通过自主创新和技术沉淀，已同时具备功率器件和功率IC的设计、研发能力。公司掌握了功率半导体芯片的前端设计技术，自主搭建了多个功率半导体细分产品的技术平台；公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。
截至2023年12月31日，公司已获授权专利88项(其中发明专利47项、实用新型专利41项)，集成电路布图设计专有权76项。
（1）为维持技术优势和保持产品竞争力，持续推进技术和产品研发，公司积极引进高技术研发人才和研发团队。2023年度，公司研发人员人数从年初的40人增至年末的65人，导致研发费用中工资薪酬增加655.50万元。
（2）在注重基础研究的同时，深度拓展前沿技术的应用，推动产品的技术高效升级，力求实现产品和技术的自主可控。以第三代功率半导体SiCMOSFET为例，公司加大SiCMOSFET加工的产能布局及工艺平台的开发，1200VSiCMOSFET工艺平台已成功进入中试阶段。上述原因导致研发材料及试验费的投入增加348.71万元。
（3）公司对于产品品质与可靠性保持一贯的重视与专注。为稳定并提升公司产品的品质与可靠性，满足客户及市场对高可靠性产品的需求，公司依照产品研发销售的需要与品质策略，2023年以来按行业专用标准要求及募投项目建设需要，已建设成具备一定规模与能力的高可靠能力检验测试实验室，从而导致研发费用中折旧及摊销增加197.51万元。
（4）公司积极响应国家战略部署，持续加大对产品及核心技术的研发投入。2023年度，公司新立项研发项目37个，在研项目合计达89个，同时设立南京分公司作为新的研发基地，依托周边高校资源，配合总部研发中心承担研发项目，导致研发费用各项投入均有所增加。
报告期末，公司研发人员增加至65人，较上年同比增长62.50%。公司注重内部人才的培养与外部人才的引进。随着业务的发展，公司积极引进公司研发所需的优秀人才，不断完善人才培养体系，加强人才梯队建设。
公司是国家高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业、国家鼓励的重点集成电路设计企业，江苏省“科技小巨人企业”“江苏省潜在独角兽企业”、江苏省半导体行业协会理事单位，公司研发中心获“江苏省高可靠性功率器件工程技术研究中心”认证。截至2023年12月31日，公司已获授权专利88项(其中发明专利47项、实用新型专利41项)，集成电路布图设计专有权76项。
在功率器件方面，公司积累了包括“高可靠性元胞结构”“新型复合终端结构及实现工艺技术”“一种利用PowerMOS管实现高压快速启动的AC-DC开关电源的实现方法”等多项核心技术，其中3项达到国际先进水平，1项达国内领先水平，使公司产品关键技术指标达到了与国际领先厂商同类产品的水平；在功率IC方面，公司基于晶圆代工厂0.5um600VSOIBCD和0.18um40VBCD等工艺自主搭建了设计平台；公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。公司已形成百余款功率IC产品，并完成了多款功率IC所需的IP设计与验证；公司自主研发了“一种全电压范围多基准电压同步调整电路及高精准过压保护电路”“一种输入失调电压自动修正电路”等核心技术，有效提升了产品参数一致性，增强了产品可靠性。
凭借高性能的产品，公司荣获由中国电子信息发展（300469）研究院（赛迪研究院）评选的第十六届（2021年度）和第十五届（2020年度）“中国芯”优秀技术创新产品奖；由中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会等机构联合评选的第十四届（2019年度）和第十二届（2017年度）中国半导体创新产品和技术奖。公司还获得了知名晶圆代工厂“最佳合作伙伴”“最佳业绩成长”的合作商奖项，芯片设计和工艺调试能力得到业内认可。
公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展战略，公司目前拥有包括平面MOSFET、功率IC等700余款产品。公司平面MOSFET产品覆盖40V-1500V电压段，已形成低压、中压、高压全系列功率MOSFET产品系列，拥有近500款不同规格的产品；公司在第三代半导体功率器件方面，已推出650V-1700VSiCMOSFET产品系列；功率IC方面，公司基于晶圆代工厂0.5um600VSOIBCD和0.18um40VBCD等工艺自主搭建了设计平台；公司与晶圆代工厂深度合作，可根据晶圆代工厂的标准工艺调整工艺参数和流程，进一步优化产品性能。公司已形成百余款功率IC产品，并完成了多款功率IC所需的IP设计与验证。未来，公司还将进一步实现对各种细分品类功率器件芯片的覆盖，并进一步促进功率IC和第三代半导体功率器件的产品系列化。公司将努力成为一站式、全品类覆盖的高性能功率半导体产品供应商，助力功率半导体国产化替代，推动我国在高可靠领域基础元器件自主可控进程的发展。
公司凭借丰富的产品矩阵、高性能的产品和及时迅速的服务能力，已与超过400家客户进行合作，实现了广泛的客户覆盖。近年来基于公司前期较早地布局了高可靠和工业控制应用领域，并且随着公司在上述领域不断加大开拓力度，公司功率IC和功率器件产品来自高可靠和工业控制（含汽车前装和后装、新能源）应用领域的销售起量明显，上述领域的客户数量明显增多。在高可靠领域，公司客户群已覆盖国内高可靠领域电源龙头企业及国家重点科研院所，并获得众多高可靠领域客户的高度认可；在工业控制领域，公司持续深挖工业储能、光伏逆变、新能源汽车及充电桩、工业电源等细分应用领域的产品需求，超高压平面MOSFET、高压超结MOSFET、SiCMOSFET等细分产品的产品研发及市场开拓取得良好成效。
(二)报告期内发生的导致公司核心竞争力受到严重影响的事件、影响分析及应对措施
报告期内，公司实现营业总收入21,374.33万元，较上年同期下降9.19%；实现归属于母公司所有者的净利润为1779.50万元，较上年同期下降70.89%。2023年度受宏观经济环境、行业周期等因素影响，功率半导体市场整体表现低迷，终端市场需求不及预期，产品销售价格承压，同时研发费用等经营性费用同比提升，导致全年业绩大幅下滑。若未来功率半导体行业景气度持续下滑导致市场需求出现重大不利变化，下游客户抗周期波动能力不足或出现经营风险，将会对公司营收规模及毛利率产生不利影响。公司经营业绩受功率半导体行业景气度影响较大，存在周期性波动的风险。
半导体行业的研发存在周期较长、工艺复杂等特点，产品技术优化升级需要持续的资源投入。由于新品研发至实现规模销售需要一定的时间周期，公司功率器件、功率IC新产品的研发进度及研发成果实现产业化都存在不确定性。如果新产品研发及产业化进度未达预期或无法在市场竞争中占据优势，公司将面临新产品研发及产业化失败的风险，前期的研发投入也将无法收回，给公司未来业务拓展带来不利影响。
集成电路设计行业为技术密集型行业，核心技术是行业内企业保持领先优势的重要保障，对企业发展具有重要作用。基于多年的技术积累和研发投入，公司在功率半导体领域已形成多项核心技术，并广泛应用于自有产品中，同时公司正致力于新技术和新产品的研发。如果公司核心技术人员流失或个别人员核心资料保管不善，则可能导致公司核心技术失密的风险。若公司核心技术泄密，并被竞争对手所获知和模仿，则可能会削弱公司的竞争优势，并对公司生产经营带来不利影响。
目前，公司采用Fabess经营模式，专注于芯片的设计、研发和销售环节，而将晶圆制造、封装测试等生产环节委托供应商进行。若晶圆代工、封装测试等委外加工价格大幅上涨，或因晶圆代工厂、封装测试厂产能紧缺或工艺波动等原因影响公司产品供给，将对公司供应稳定性、盈利能力造成不利影响。若未来公司与主要晶圆供应商的合作关系发生不利变化，或主要供应商由于产能受限等原因而降低对公司的产能供给，而公司在短期内无法及时寻找新的晶圆供应商并快速获取产能形成稳定供应，将影响公司晶圆供应的稳定性，从而对公司生产经营造成不利影响。
目前，公司采用Fabess经营模式，专注于芯片的设计、研发和销售环节，而将晶圆制造、封装测试等生产环节委托供应商进行。由于资金、技术等壁垒，半导体行业内符合公司技术和工艺要求的晶圆代工厂数量较少。若未来公司主要供应商出现产能受限、自身生产经营或与公司合作情况发生不利变化等情况，公司在短时间内替换供应商存在较大困难，可能导致公司不能足量、及时出货，从而对公司生产经营造成不利影响。
目前国内半导体企业众多，对功率半导体关键技术人员需求缺口较大，运用高薪或者股权激励等方式吸引技术人员已逐渐成为行业内的常规手段，导致行业内人员流动愈发频繁。未来，如果公司薪酬水平与同行业竞争对手相比丧失竞争优势或人才发展及内部晋升受限，公司对关键技术人才的吸引力将减弱，甚至可能出现现有关键技术人员流失的情形，对公司生产经营产生不利影响。
2022年二季度以来，受全球通货膨胀等因素影响，以智能手机、PC、家电为代表的消费电子市场需求持续疲软，消费电子领域客户自身存在去库存压力。公司功率器件主要面向消费电子领域，受此影响，2023年度公司平面MOSFET销量和价格下降明显。若未来半导体行业景气度持续下滑导致市场需求出现重大不利变化，下游客户抗周期波动能力不足或出现经营风险，或者市场竞争加剧导致公司不能保持产品的核心竞争力和市场竞争优势，则会对公司产品售价、销量造成进一步负面影响，并可能导致客户订单执行延缓或出现违约、主要客户流失，从而使公司面临收入增长可持续性的风险。
此外，公司功率IC产品主要面向高可靠领域，客户集中度较高，且该领域客户订单在一定程度上会受到年度预算和终端需求等因素的影响。若未来客户订单延迟或取消、公司未能准确把握行业技术发展趋势或下游市场需求发生重大不利变化等，可能导致公司功率IC业务出现新客户拓展不达预期、现有客户流失等情形，从而使公司面临收入增长可持续性的风险。
受宏观经济环境、地缘政治变局、行业周期等不利因素的扰动，报告期内公司主要产品毛利率出现一定程度下滑。随着市场需求的变化和行业技术的发展，若公司未能正确判断市场需求变化、技术水平停滞不前、未能有效控制产品成本或市场竞争格局发生不利变化，将会导致公司产品售价和成本出现预期外的波动，公司产品毛利率及盈利能力未来存在下降的风险。
报告期内下游市场需求持续疲软，相关产业链整体呈现去库存压力。若未来下游领域需求端持续低迷或市场环境发生其他不利变化、客户临时改变需求、竞争加剧或技术升级，或者公司不能有效拓宽销售渠道、优化库存管理，导致产品滞销、周转天数延长、存货积压，公司可能面临存货滞销及减值的风险。
受行业不利因素及部分客户管理体系与预算支出调整的影响，2023年度部分市场产品出现订单验收缓慢、收入确认滞后、新增订单不及预期等不利情况。若未来下游需求端持续低迷或市场环境发生其他不利变化，公司不能有效加强应收账款的催收，导致应收账款增加，则公司可能面临发生坏账的风险，进而会对公司的盈利能力产生不利影响。
根据本公司战略发展规划，未来在新产品开发、新市场拓展以及业务布局上需要充足资金支撑公司业务发展，并且随着业务规模的扩大，研发、销售、管理成本均有所提高，财务费用也将增加，将会对公司盈利能力造成一定影响。
公司主要经营的产品包括功率器件和功率IC，两者均属于功率半导体。功率半导体行业属于技术密集型行业，不追求先进制程，产品生命周期长，较数字芯片相比迭代速度更慢。从技术发展层面来看，一方面，下游客户的个性化需求不断丰富，下游应用领域对产品技术参数的要求亦不断提升，如公司无法顺应行业技术发展趋势，在产品研发中紧跟下游客户应用需求的变动方向，则有可能导致公司产品被赶超或替代。
目前，我国的功率半导体行业正经历快速发展阶段，行业内厂商积极进行市场拓展，市场竞争逐渐加剧。公司所处行业的竞争对手较多，既包括英飞凌、安森美等国际一流功率半导体厂商，也包括华润微、士兰微（600460）等国内的知名功率半导体厂商。公司需要持续投入大量资金用于核心技术及新产品的研发，以缩小与竞争对手的差距并保持自身竞争力。若公司不能正确把握市场动态和行业发展趋势，不能根据客户需求及时推出新产品、不断优化产品性能与提高服务质量，则可能导致公司竞争能力下降，公司的行业地位、市场份额、经营业绩等可能受到不利影响。
在经济全球化日益深化的背景之下，国际贸易关系的变化对于半导体行业景气度可能产生深远影响。部分国家通过贸易保护的手段，试图制约中国相关产业的发展；尤其是随着中美贸易摩擦的加剧，美国政府已将多家中国企业和机构列入美国出口管制的“实体清单”。若美国将公司及公司主要客户、供应商列入“实体清单”名单或采取其他经济限制手段，可能导致公司业务受限、供应商无法供货或者客户采购受到约束，公司的正常生产经营将受到不利影响。同时，半导体产业链上下游可能出现生产和采购受限的情形，从而对公司经营业绩造成不利影响。
半导体产业是国家战略性产业。近年来，国家出台了一系列鼓励政策以推动我国半导体产业的发展，增强了中国半导体产业的创新能力和国际竞争力，带动了整个产业的发展。但若未来国家相关产业政策支持力度减弱，可能导致下游市场需求下滑、税收优惠减少、政府补贴金额下降等，公司的经营业绩可能会因此受到不利影响。
报告期内，公司享受的税收优惠政策主要系“新办的集成电路设计企业”和“国家鼓励的重点集成电路设计企业”优惠税率税收优惠政策。公司（母公司）于2023年12月通过高新技术企业认定，有效期三年，继续享受企业所得税税率减按15%计征的优惠政策。同时根据相关政策规定，公司（母公司）认为2023年仍然满足国家鼓励的重点集成电路设计和软件企业的认定条件，2023年按10%的企业所得税税率计提申报企业所得税。若未来国家税收优惠政策发生不利变化，或公司不符合税收优惠条件，将面临无法享受有关税收优惠政策的风险。
2023年度，公司实现营业总收入21,374.33万元，较上年同期下降9.19%；实现归属于母公司所有者的净利润为1779.50万元，较上年同期下降70.89%；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润为813.79万元，较上年同期下降83.59%。2023年公司的营业收入及利润水平较2022年同期均有不同程度的下滑。
近年来，国际政治经济形势存在一定不确定性，国际贸易摩擦频发、外国对我国半导体产业采取诸多限制措施。在此背景下，国家出台了众多产业政策，积极推动我国半导体产业链的自主可控，半导体芯片国产化替代进程加速，为国内功率半导体厂商提供了良好的发展机遇。我国功率半导体行业较西方国家起步较晚，受到企业规模及技术水平的制约，在高端功率半导体产品领域尚未形成整体的规模效应。
目前，功率半导体行业中美、日、欧龙头公司如英飞凌、意法半导体、安森美等凭借着先进制造优势、人才集聚优势、大规模研发投入和技术积累，处于行业领先地位；国内主流功率半导体厂商包括华润微、华微电子（600360）、士兰微、安世半导体、新洁能（605111）、东微半导等，这些企业在芯片设计或制造工艺方面亦拥有较为深厚的技术积累，在国内市场已形成一定品牌效应和规模效应，市场份额稳步提升。
公司专注于功率器件与功率IC的设计、研发与销售，并提供相关技术服务。公司坚持“自主创芯，助力核心芯片国产化”的发展定位，助力高性能功率器件、功率IC的国产化替代以及自主可控，将公司打造成高品质功率器件及智能功率IC的优秀供应商。针对未来发展，公司制定的战略规划如下：
公司将优化细分产品领域，扩大在高可靠领域和工业控制领域的销售规模，并提升总体收入规模和市场占有率；在SiC产品方面，加大产品系列布局和实现规模化销售。公司力争成为具有自主品牌影响力、规模稳定增长、技术专精、产品结构合理的高品质功率器件半导体供应商。
公司将拓展PWM控制IC和栅极驱动IC产品的客户范围和细分应用领域；深挖高可靠领域和工业级客户的市场潜力，以实现更多功率IC产品的国产化替代和自主可控，并不断扩大经营规模，实现作为专注于高可靠领域和工艺控制领域的智能功率IC优秀供应商的发展战略。
公司将在为客户提供更多的技术服务的同时，持续增强公司定义自主产品的能力，助力公司实现功率半导体产品和技术服务协同发展的战略，从而成为更多客户的首选供应商。
公司将扩大IPM、光继电器（PhotoMOS）等产品的收入规模，形成新的利润来源。
公司将不断提升硅基MOSFET产品的技术和性能，开拓战略大客户；优化平面MOSFET、FRMOS等6英寸生产线的产品结构和应用领域，加强在超高压电压段的产品布局、技术积累和客户开发；进一步投入研发和完善沟槽型MOSFET、超结MOSFET的产品系列，寻求对应的8英寸、12英寸产线代工资源和客户资源，同时针对新能源汽车用的高压大电流的超结MOSFET的芯片封装技术展开布局研究，提高该类产品的成品率及可靠性；加大SiC产品的研发投入并且积极进行客户开拓，针对新能源汽车电源使用的1200VSiCMOSFET进行系列化开发；对围绕工业控制、智能电网、储能等领域使用的1700V-2500VSiCMOSFET进行系列化开发。
公司将始终坚持技术创新，持续扩充功率IC的研发团队和加强人才培养；实时关注国外先进厂商的技术发展动态，不断对照差距，进行前沿技术的研发与探索；公司将结合积累的研发经验和技术优势，持续加大对PWM控制IC和栅极驱动IC等进行设计和工艺技术的研发，进一步丰富IP积累，开发更多的系列化产品；在高可靠领域和工业控制领域持续开拓更多的客户，实现用户对高端功率IC的需求。
为了进一步提升技术服务能力及服务质量，持续增强公司定义自主产品的能力，公司已采取以下措施：利用募投项目打造的功率半导体器件测试及可靠性考核平台，进一步提升服务质量及服务时效性；进一步对研发领域分工，专注细分领域的精细开发；建立市场调研队伍，深入市场了解客户未来需求，以争取到更多的项目机会。
通过加强对人员和资金的投入，加大对IPM、光继电器（PhotoMOS）等产品做研发投入和市场开拓，丰富公司的产品品类和技术积累，满足更多客户的不同需求。
公司持续对战略性产品进行研发投入，加强对核心技术的积累；在注重基础研究的同时，深度拓展前沿技术的应用，推动产品的技术高效升级与产业化进程；通过与高校合作，打造良性循环的高端人才梯队，并将通过持续优化激励制度，增强团队的凝聚力和创造力，提升公司的自主创新能力。
公司不断优化研发环境，通过募投项目在张家港升级功率半导体研发工程中心，进一步完善张家港、无锡和西安一体两翼的研发协同机制，设立南京分公司作为新的研发基地，依托周边高校资源，配合总部研发中心承担研发项目。在对研发工程中心进行升级的过程中，增加研发的软硬件投入，建立并完善器件试验室、可靠性实验室和失效分析实验室等，增强对产品可靠性的检测能力，进一步提升公司研发和成果转化的能力水平。
随着公司产品研制的不断深入、产品线不断丰富以及对新应用领域的逐步涉足，公司市场开发能力、销售能力、服务客户能力亟待加强。未来，公司将进一步强化市场部对产品的定位及推广职能，加强销售部的培训体系和研发部的支持响应体系建设，拓宽服务客户的内容，提升客户的满意度和依赖度，从而提升公司品牌的市场影响力和知名度，扩大公司产品的市场占有率。
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